强一半导体申请MEMS探针镀膜相关专利，实现实现MM实现高效M实现高效实现高效高效实现高效28

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4月12日消息，国家知识产权局信息显示，强一半导体（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种MEMS探针局部表面镀膜方法、应用和装置”的专利。申请公布号为CN121826592A，申请号为CN202511950048.3，申请公布日期为2026年4月10日，申请日期为2025年12月23日，发明人于海超、吕航、王兴刚，专利代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司，专利代理师徐丹，分类号C23C14/04、C23C14/58、C23C14/16、C23C14/22、C23C28/02、C25D3/48、C25D7/00、C25D5/48、C23F1/02、G01R3/00、B81C1/00。

专利摘要显示，本申请提供了一种MEMS探针局部表面镀膜方法、应用和装置，其中方法包括：制备适配掩膜，将掩膜与MEMS探针对位固定，通过将沉积源设于两个垂直相邻面的法线之间，使沉积方向朝向两者相交位置，让沉积粒子束能同时覆盖两个垂直面，无需分步骤分次镀膜，高效实现垂直相邻面的同步沉积，大幅提升工艺效率。本方法克服了传统物理气相沉积的阴影效应，能够实现连续、均匀地镀膜。此外，通过倾斜样品台、双沉积源等进一步优化改进可适配不同需求，工艺简单并且成本较低。

天眼查数据显示，强一半导体（苏州）股份有限公司成立日期2015年8月28日，法定代表人周明，所属行业为仪器仪表制造业，企业规模为中型，注册资本12955.93万人民币，实缴资本9716.9418万人民币，注册地址为苏州工业园区东长路88号S3幢。强一半导体（苏州）股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目53次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息324条，拥有行政许可20个。

强一半导体（苏州）股份有限公司近期专利情况如下：

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